Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1.8A | Idm: 3.6A | 62.5W | DPAK

EB Kods: EB1436373769

Ražotāja preces kods: 
SIHD2N80AE-GE3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 2,25 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.8A
Pulsed drain current3.6A
Power dissipation62.5W
CaseDPAK
CaseTO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.5Ω
MountingSMD
Gate charge10.5nC
Kind of channelenhanced
VersionESD