Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1.8A | Idm: 3.6A | 62.5W | DPAK
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1.8A | Idm: 3.6A | 62.5W | DPAK
EB Kodas: EB1436373769
Gamintojo prekės kodas: SIHD2N80AE-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIHD2N80AE-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
2,25 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 1.8A |
Pulsed drain current | 3.6A |
Power dissipation | 62.5W |
Case | DPAK |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 2.5Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 10.5nC |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |