Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 1.8A | Idm: 3.6A | 62.5W | DPAK

EB Koodi: EB1436373769

Valmistajan tuotekoodi: 
SIHD2N80AE-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

 2,25 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1.8A
Pulsed drain current3.6A
Power dissipation62.5W
CaseDPAK
CaseTO252
Gate-source voltage±30V
On-state resistance2.5Ω
MountingSMD
Gate charge10.5nC
Kind of channelenhanced
VersionESD