Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 24A | Idm: 85A | 150W

EB Kodas: EB379806879

Gamintojo prekės kodas: 
B2M065120R

Gamintojas, prekės ženklas: 
BASiC SEMICONDUCTOR

 17,07 € 
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo. 
Užduoti klausimą
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current24A
Pulsed drain current85A
Power dissipation150W
CaseTO263-7
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance65mΩ
MountingSMD
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal