Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 24A | Idm: 85A | 150W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 24A | Idm: 85A | 150W
EB Код: EB379806879
Код товара производителя: B2M065120R
Код товара производителя:
B2M065120R
Производитель, бренд: BASiC SEMICONDUCTOR
Производитель, бренд:
BASiC SEMICONDUCTOR
16,84 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 24A |
Pulsed drain current | 85A |
Power dissipation | 150W |
Case | TO263-7 |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 65mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 60nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |