Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 24A | Idm: 85A | 150W

EB Код: EB379806879

Код товара производителя: 
B2M065120R

Производитель, бренд: 
BASiC SEMICONDUCTOR

16,40 
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current24A
Pulsed drain current85A
Power dissipation150W
CaseTO263-7
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance65mΩ
MountingSMD
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal