Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 30A | Idm: 90A | 370W | TO247
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 30A | Idm: 90A | 370W | TO247
EB Kodas: EB1698341012
Gamintojo prekės kodas: R6030JNZ4C13
Gamintojo prekės kodas:
R6030JNZ4C13
Gamintojas, prekės ženklas: ROHM SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
ROHM SEMICONDUCTOR
12,69 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 30A |
Pulsed drain current | 90A |
Power dissipation | 370W |
Case | TO247 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 143mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 74nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |