Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 30A | Idm: 90A | 370W | TO247
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 30A | Idm: 90A | 370W | TO247
EB Kood: EB1698341012
Tootja kauba kood: R6030JNZ4C13
Tootja kauba kood:
R6030JNZ4C13
Tootja, kaubamärk: ROHM SEMICONDUCTOR
Tootja, kaubamärk:
ROHM SEMICONDUCTOR
12,69 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 600V |
Drain current | 30A |
Pulsed drain current | 90A |
Power dissipation | 370W |
Case | TO247 |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 143mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 74nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |