Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 600V | 30A | Idm: 90A | 370W | TO247

EB Kods: EB1698341012

Ražotāja preces kods: 
R6030JNZ4C13

Ražotājs, zīmols: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 12,69 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current30A
Pulsed drain current90A
Power dissipation370W
CaseTO247
Gate-source voltage±30V
On-state resistance143mΩ
MountingTHT
Gate charge74nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced