Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
EB Kodas: EB1466891198
Gamintojo prekės kodas: IRLB8314PBF
Gamintojo prekės kodas:
IRLB8314PBF
Gamintojas, prekės ženklas: INFINEON TECHNOLOGIES
Gamintojas, prekės ženklas:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,39 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 120A |
Pulsed drain current | 664A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.4mΩ |
Mounting | THT |
Kind of channel | enhanced |