Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
EB Koodi: EB1466891198
Valmistajan tuotekoodi: IRLB8314PBF
Valmistajan tuotekoodi:
IRLB8314PBF
Valmistaja, merkki: INFINEON TECHNOLOGIES
Valmistaja, merkki:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,39 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 120A |
Pulsed drain current | 664A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.4mΩ |
Mounting | THT |
Kind of channel | enhanced |