Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB

EB Kods: EB1466891198

Ražotāja preces kods: 
IRLB8314PBF

Ražotājs, zīmols: 
INFINEON TECHNOLOGIES

1,42 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyHEXFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current120A
Pulsed drain current664A
Power dissipation125W
CaseTO220AB
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.4mΩ
MountingTHT
Kind of channelenhanced