Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 120A | Idm: 664A | 125W | TO220AB
EB Kood: EB1466891198
Tootja kauba kood: IRLB8314PBF
Tootja kauba kood:
IRLB8314PBF
Tootja, kaubamärk: INFINEON TECHNOLOGIES
Tootja, kaubamärk:
INFINEON TECHNOLOGIES
1,39 €
Sisaldab käibemaksu / gb
Saadaval tarnija laos >10 tk
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
⛟ Tarne 1-3 tööpäeva jooksul pärast makse sooritamist.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | HEXFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 120A |
Pulsed drain current | 664A |
Power dissipation | 125W |
Case | TO220AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.4mΩ |
Mounting | THT |
Kind of channel | enhanced |