Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W
EB Kodas: EB712375287
Gamintojo prekės kodas: MSC080SMA120B4
Gamintojo prekės kodas:
MSC080SMA120B4
Gamintojas, prekės ženklas: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gamintojas, prekės ženklas:
MICROCHIP (MICROSEMI)
19,45 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 200W |
| Case | TO247-4 |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 64nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |