Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W
EB Код: EB712375287
Код товара производителя: MSC080SMA120B4
Код товара производителя:
MSC080SMA120B4
Производитель, бренд: MICROCHIP TECHNOLOGY
Производитель, бренд:
MICROCHIP TECHNOLOGY
14,84 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 90A |
| Power dissipation | 200W |
| Case | TO247-4 |
| On-state resistance | 0.1Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 64nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |