Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 26A | Idm: 90A | 200W

EB Kods: EB712375287

Ražotāja preces kods: 
MSC080SMA120B4

Ražotājs, zīmols: 
MICROCHIP (MICROSEMI)

19,27 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current26A
Pulsed drain current90A
Power dissipation200W
CaseTO247-4
On-state resistance0.1Ω
MountingTHT
Gate charge64nC
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal