Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 1.2A | 830mW
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 1.2A | 830mW
EB Kodas: EB202872731
Gamintojo prekės kodas: 2N7002,215
Gamintojo prekės kodas:
2N7002,215
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
0,34 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.19A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 0.83W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 5Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |