Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 1.2A | 830mW
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 1.2A | 830mW
EB Kods: EB202872731
Ražotāja preces kods: 2N7002,215
Ražotāja preces kods:
2N7002,215
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | Trench |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60V |
| Drain current | 0.19A |
| Pulsed drain current | 1.2A |
| Power dissipation | 0.83W |
| Case | SOT23 |
| Case | TO236AB |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 5Ω |
| Mounting | SMD |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhancement |