Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.19A | Idm: 1.2A | 830mW

EB Koodi: EB202872731

Valmistajan tuotekoodi: 
2N7002,215

Valmistaja, merkki: 
NEXPERIA

 0,34 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.19A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.83W
CaseSOT23
CaseTO236AB
Gate-source voltage±30V
On-state resistance5Ω
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced