Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 1A | Idm: 4A | 350mW | SOT363
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 1A | Idm: 4A | 350mW | SOT363
EB Kodas: EB127408133
Gamintojo prekės kodas: PJT7800_R1_00001
Gamintojo prekės kodas:
PJT7800_R1_00001
Gamintojas, prekės ženklas: PanJit Semiconductor
Gamintojas, prekės ženklas:
PanJit Semiconductor
0,60 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 20V |
| Drain current | 1A |
| Pulsed drain current | 4A |
| Power dissipation | 0.35W |
| Case | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 0.4Ω |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 1.6nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |