Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 39A | Idm: 156A | 59.5W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 39A | Idm: 156A | 59.5W
EB Kodas: EB890271306
Gamintojo prekės kodas: WMB175DN10LG4
Gamintojo prekės kodas:
WMB175DN10LG4
Gamintojas, prekės ženklas: WAYON
Gamintojas, prekės ženklas:
WAYON
1,33 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 39A |
Pulsed drain current | 156A |
Power dissipation | 59.5W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 19.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |