Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 39A | Idm: 156A | 59.5W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 39A | Idm: 156A | 59.5W
EB Код: EB890271306
Код товара производителя: WMB175DN10LG4
Код товара производителя:
WMB175DN10LG4
Производитель, бренд: WAYON
Производитель, бренд:
WAYON
1,10 €
excl. VAT / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 39A |
Pulsed drain current | 156A |
Power dissipation | 59.5W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 19.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |