Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 39A | Idm: 156A | 59.5W

EB Kods: EB890271306

Ražotāja preces kods: 
WMB175DN10LG4

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 1,11 € 
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current39A
Pulsed drain current156A
Power dissipation59.5W
CasePDFN5060-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance19.5mΩ
MountingSMD
Gate charge22.5nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement