Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | 60V | 56A | 42.5W
Transistor: N-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | 60V | 56A | 42.5W
EB Код: EB17022022
Код товара производителя: YJD80G06A
Код товара производителя:
YJD80G06A
Производитель, бренд: YANGJIE TECHNOLOGY
Производитель, бренд:
YANGJIE TECHNOLOGY
0,45 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SPLIT GATE TRENCH |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 56A |
Pulsed drain current | 240A |
Power dissipation | 42.5W |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 11mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 31nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |