Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SPLIT GATE TRENCH | unipolar | 60V | 56A | 42.5W

EB Koodi: EB17022022

Valmistajan tuotekoodi: 
YJD80G06A

Valmistaja, merkki: 
YANGJIE TECHNOLOGY

 0,45 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySPLIT GATE TRENCH
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current56A
Pulsed drain current240A
Power dissipation42.5W
CaseTO252
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11mΩ
MountingSMD
Gate charge31nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced