Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 55V | 550A | Idm: 2kA | 830W
Transistor: N-MOSFET | GigaMOS™ | unipolar | 55V | 550A | Idm: 2kA | 830W
EB Код: EB801717796
Код товара производителя: MMIX1T550N055T2
Код товара производителя:
MMIX1T550N055T2
Производитель, бренд: IXYS
Производитель, бренд:
IXYS
58,16 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | GigaMOS™ |
| Technology | TrenchT2™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55V |
| Drain current | 550A |
| Pulsed drain current | 2kA |
| Power dissipation | 830W |
| Case | SMPD |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 1.3mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 595nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Reverse recovery time | 100ns |