Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
EB Kods: EB991862851
Ražotāja preces kods: NSF040120L3A0Q
Ražotāja preces kods:
NSF040120L3A0Q
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
29,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 46A |
| Pulsed drain current | 160A |
| Power dissipation | 313W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...22V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 95nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |