Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
EB Код: EB991862851
Код товара производителя: NSF040120L3A0Q
Код товара производителя:
NSF040120L3A0Q
Производитель, бренд: NEXPERIA
Производитель, бренд:
NEXPERIA
28,15 €
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 46A |
Pulsed drain current | 160A |
Power dissipation | 313W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -10...22V |
On-state resistance | 60mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 95nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |