Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 46A | Idm: 160A | 313W
EB Kodas: EB991862851
Gamintojo prekės kodas: NSF040120L3A0Q
Gamintojo prekės kodas:
NSF040120L3A0Q
Gamintojas, prekės ženklas: NEXPERIA
Gamintojas, prekės ženklas:
NEXPERIA
28,15 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 46A |
| Pulsed drain current | 160A |
| Power dissipation | 313W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -10...22V |
| On-state resistance | 60mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 95nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |