Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -70A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -70A
EB Kodas: EB1024262326
Gamintojo prekės kodas: SIS413DN-T1-GE3
Gamintojo prekės kodas:
SIS413DN-T1-GE3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,78 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -18A |
Pulsed drain current | -70A |
Power dissipation | 33W |
Case | PowerPAK® 1212-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 13.2mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 110nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |