Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -30V | -18A | Idm: -70A

EB Koodi: EB1024262326

Valmistajan tuotekoodi: 
SIS413DN-T1-GE3

Valmistaja, merkki: 
VISHAY

0,78 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-18A
Pulsed drain current-70A
Power dissipation33W
CasePowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13.2mΩ
MountingSMD
Gate charge110nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced