Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -7.1A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -7.1A | Idm: -20A
EB Kodas: EB1424350750
Gamintojo prekės kodas: SI2333CDS-T1-E3
Gamintojo prekės kodas:
SI2333CDS-T1-E3
Gamintojas, prekės ženklas: VISHAY
Gamintojas, prekės ženklas:
VISHAY
0,95 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -7.1A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 59mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 25nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |