Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -7.1A | Idm: -20A
Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -7.1A | Idm: -20A
EB Koodi: EB1424350750
Valmistajan tuotekoodi: SI2333CDS-T1-E3
Valmistajan tuotekoodi:
SI2333CDS-T1-E3
Valmistaja, merkki: VISHAY
Valmistaja, merkki:
VISHAY
0,95 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -12V |
Drain current | -7.1A |
Pulsed drain current | -20A |
Power dissipation | 2.5W |
Case | SOT23 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 59mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 25nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |