Tulkot latviski

Transistor: P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | -12V | -7.1A | Idm: -20A

EB Kods: EB1424350750

Ražotāja preces kods: 
SI2333CDS-T1-E3

Ražotājs, zīmols: 
VISHAY

 0,95 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-12V
Drain current-7.1A
Pulsed drain current-20A
Power dissipation2.5W
CaseSOT23
Gate-source voltage±8V
On-state resistance59mΩ
MountingSMD
Gate charge25nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced