Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
EB Kodas: EB1206563705
Gamintojo prekės kodas: APT38F80B2
Gamintojo prekės kodas:
APT38F80B2
Gamintojas, prekės ženklas: MICROCHIP (MICROSEMI)
Gamintojas, prekės ženklas:
MICROCHIP (MICROSEMI)
29,29 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje 8 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | POWER MOS 8® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 150A |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Case | TO247MAX |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.24Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 260nC |
| Kind of channel | enhanced |