Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
EB Koodi: EB1206563705
Valmistajan tuotekoodi: APT38F80B2
Valmistajan tuotekoodi:
APT38F80B2
Valmistaja, merkki: MICROCHIP TECHNOLOGY
Valmistaja, merkki:
MICROCHIP TECHNOLOGY
23,39 €
Hinta ilma ALV: tä / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | POWER MOS 8® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 800V |
Drain current | 26A |
Pulsed drain current | 150A |
Power dissipation | 1.04kW |
Case | TO247MAX |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 0.24Ω |
Mounting | THT |
Gate charge | 260nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |