Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 800V | 26A | Idm: 150A | 1.04kW
EB Kods: EB1206563705
Ražotāja preces kods: APT38F80B2
Ražotāja preces kods:
APT38F80B2
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP (MICROSEMI)
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP (MICROSEMI)
29,76 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | POWER MOS 8® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800V |
| Drain current | 26A |
| Pulsed drain current | 150A |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Case | TO247MAX |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.24Ω |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 260nC |
| Kind of channel | enhanced |