Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 200V | 75A | Idm: 320A | 830W
Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 200V | 75A | Idm: 320A | 830W
EB Kodas: EB569196818
Gamintojo prekės kodas: IXTQ130N20T
Gamintojo prekės kodas:
IXTQ130N20T
Gamintojas, prekės ženklas: IXYS
Gamintojas, prekės ženklas:
IXYS
13,33 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench™ |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 200V |
Drain current | 75A |
Pulsed drain current | 320A |
Power dissipation | 830W |
Case | TO3P |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 16mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 150nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Reverse recovery time | 150ns |