Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | Trench™ | unipolar | 200V | 75A | Idm: 320A | 830W

EB Koodi: EB569196818

Valmistajan tuotekoodi: 
IXTQ130N20T

Valmistaja, merkki: 
IXYS

 13,33  
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current75A
Pulsed drain current320A
Power dissipation830W
CaseTO3P
Gate-source voltage±20V
On-state resistance16mΩ
MountingTHT
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time150ns