Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 48A | Idm: 135A | 550W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 48A | Idm: 135A | 550W
EB Kodas: EB837232827
Gamintojo prekės kodas: DIW065SIC049
Gamintojo prekės kodas:
DIW065SIC049
Gamintojas, prekės ženklas: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
18,85 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650V |
| Drain current | 48A |
| Pulsed drain current | 135A |
| Power dissipation | 550W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -5...18V |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 128nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |