Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 48A | Idm: 135A | 550W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 650V | 48A | Idm: 135A | 550W
EB Koodi: EB837232827
Valmistajan tuotekoodi: DIW065SIC049
Valmistajan tuotekoodi:
DIW065SIC049
Valmistaja, merkki: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Valmistaja, merkki:
DIOTEC SEMICONDUCTOR
18,85 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 650V |
Drain current | 48A |
Pulsed drain current | 135A |
Power dissipation | 550W |
Case | TO247-3 |
Gate-source voltage | -5...18V |
On-state resistance | 50mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 128nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |