Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 60A | Idm: 190A | 375W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 60A | Idm: 190A | 375W
EB Kodas: EB1942229851
Gamintojo prekės kodas: B2M032120Y
Gamintojo prekės kodas:
B2M032120Y
Gamintojas, prekės ženklas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
BASiC SEMICONDUCTOR
25,65 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 60A |
| Pulsed drain current | 190A |
| Power dissipation | 375W |
| Case | TO247PLUS-4 |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 40nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |