Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 60A | Idm: 190A | 375W

EB Koodi: EB1942229851

Valmistajan tuotekoodi: 
B2M032120Y

Valmistaja, merkki: 
BASiC SEMICONDUCTOR

25,03 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current60A
Pulsed drain current190A
Power dissipation375W
CaseTO247PLUS-4
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance50mΩ
MountingTHT
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal