Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 55A | Idm: 160A | 320.5W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 55A | Idm: 160A | 320.5W
EB Kodas: EB991290362
Gamintojo prekės kodas: S2M0040120K-1
Gamintojo prekės kodas:
S2M0040120K-1
Gamintojas, prekės ženklas: SMC DIODE SOLUTIONS
Gamintojas, prekės ženklas:
SMC DIODE SOLUTIONS
20,04 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 55A |
Pulsed drain current | 160A |
Power dissipation | 320.5W |
Case | TO247-4 |
Gate-source voltage | -5...20V |
On-state resistance | 40mΩ |
Mounting | THT |
Gate charge | 118nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhanced |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |