Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 52A | Idm: 200A | 394W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 52A | Idm: 200A | 394W
EB Kodas: EB1344952624
Gamintojo prekės kodas: S3M0025120B
Gamintojo prekės kodas:
S3M0025120B
Gamintojas, prekės ženklas: SMC DIODE SOLUTIONS
Gamintojas, prekės ženklas:
SMC DIODE SOLUTIONS
22,34 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | SiC |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 1.2kV |
Drain current | 52A |
Pulsed drain current | 200A |
Power dissipation | 394W |
Case | T2PAK |
Gate-source voltage | -4...18V |
On-state resistance | 36mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 175nC |
Kind of package | tube |
Kind of channel | enhancement |
Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |