Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 52A | Idm: 200A | 394W

EB Код: EB1344952624

Код товара производителя: 
S3M0025120B

Производитель, бренд: 
SMC DIODE SOLUTIONS

 22,34  
НДС включен / gb
Ha складе поставщика >10 шт.
⛟ Доставка через 1-3 рабочих дня после оплаты. 
-+

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current52A
Pulsed drain current200A
Power dissipation394W
CaseT2PAK
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance36mΩ
MountingSMD
Gate charge175nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal