Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 52A | Idm: 200A | 394W

EB Koodi: EB1344952624

Valmistajan tuotekoodi: 
S3M0025120B

Valmistaja, merkki: 
SMC DIODE SOLUTIONS

 22,34 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current52A
Pulsed drain current200A
Power dissipation394W
CaseT2PAK
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance36mΩ
MountingSMD
Gate charge175nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal