Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 45A | Idm: 150A | 114W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 45A | Idm: 150A | 114W
EB Kodas: EB552744324
Gamintojo prekės kodas: IMZ120R030M1HXKSA1
Gamintojo prekės kodas:
IMZ120R030M1HXKSA1
Gamintojas, prekės ženklas: INFINEON TECHNOLOGIES
Gamintojas, prekės ženklas:
INFINEON TECHNOLOGIES
39,62 €
PVM įskaičiuotas / gb
Tiekėjo sandėlyje >10 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | CoolSiC™ |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 45A |
| Pulsed drain current | 150A |
| Power dissipation | 114W |
| Case | TO247-4 |
| Gate-source voltage | -7...23V |
| On-state resistance | 57mΩ |
| Mounting | THT |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |
| Features of semiconductor devices | Kelvin terminal |