Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 45A | Idm: 150A | 114W

EB Koodi: EB552744324

Valmistajan tuotekoodi: 
IMZ120R030M1HXKSA1

Valmistaja, merkki: 
INFINEON TECHNOLOGIES

 39,72 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolSiC™
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current45A
Pulsed drain current150A
Power dissipation114W
CaseTO247-4
Gate-source voltage-7...23V
On-state resistance57mΩ
MountingTHT
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal