Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 33A | Idm: 85A | 250W
Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 33A | Idm: 85A | 250W
EB Kodas: EB825283109
Gamintojo prekės kodas: B2M065120H
Gamintojo prekės kodas:
B2M065120H
Gamintojas, prekės ženklas: BASiC SEMICONDUCTOR
Gamintojas, prekės ženklas:
BASiC SEMICONDUCTOR
13,58 €
excl. VAT / gb
Tiekėjo sandėlyje 9 vnt
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
⛟ Pristatymas 1-3 darbo dienos po apmokėjimo.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | SiC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 33A |
| Pulsed drain current | 85A |
| Power dissipation | 250W |
| Case | TO247-3 |
| Gate-source voltage | -4...18V |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Mounting | THT |
| Gate charge | 60nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhanced |