Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 33A | Idm: 85A | 250W

EB Koodi: EB825283109

Valmistajan tuotekoodi: 
B2M065120H

Valmistaja, merkki: 
BASiC SEMICONDUCTOR

15,20 €
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa 6 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current33A
Pulsed drain current85A
Power dissipation250W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance65mΩ
MountingTHT
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced